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quarta-feira, 5 de outubro de 2011

Memória flash de grafeno supera estado-da-arte




Flash de grafeno

Extrapolando as medições iniciais, Kang Wang e seus colegas da Universidade da Califórnia calcularam que a célula de memória flash de grafeno perde apenas 8% de sua carga em um período de 10 anos.

No mesmo período, as células de memória do seu pendrive ou cartão de memória da sua máquina digital perdem 50% de sua carga.

Essa maior estabilidade significa que as células de memória de grafeno interferem menos umas com as outras, o que permite fabricá-las mais juntas umas das outras.

É esse aumento na densidade que responde pelo acréscimo na capacidade de armazenamento de dados divulgada pela equipe.

Menos energia e mais dados

O protótipo de uma memória flash feita com grafeno mostrou enormes vantagens em relação à tecnologia estado-da-arte na área.

Mesmo ainda sem qualquer otimização, a memória flash de grafeno consome apenas metade da energia e pode armazenar o dobro de informações que uma memória flash convencional.

Além disso, sendo essencialmente carbono, os cientistas afirmam que o grafeno tem o potencial para gerar células de memória muito mais baratas do que as atuais, que usam semicondutores caros e difíceis de purificar.

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